社会资本可以投资配电网 电网垄断被限制

【图文导读】图1 基于CNTFET的数字IC技术的晶体管结构图2A-CNT阵列的制备和表征图3基于A-CNT阵列的顶栅FET的特性和基准测试图4离子液体栅极CNT阵列FET图5NT五级ROs的结构和特性文献链接：资本Aligned,high-densitysemiconductingcarbonnanotubearraysforhigh-performanceelectronics（Science，资本2020，DOI:10.1126/science.aba5980）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。

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